1. 86899 Landsberg Si-Mat Silicon Materials

86899 Landsberg Si-Mat Silicon Materials

2. Mitcham Mirko Hess Consultants

Mitcham Mirko Hess Consultants

3. 01109 Dresden Fraunhofer IPMS

01109 Dresden Fraunhofer IPMS

4. Contacts between Various Levels
(Semiconductor Assembly Process/Metallization)

... structure, before the metallization holes etched, in a separate step often with tungsten closed again. The tungsten deposition will take place in the CVD process with the gas Wolframhexafluorid WF6 adding ...

5. Plasma Enhanced CVD (PECVD
(Semiconductor Assembly Process/Separation)

With the plasma enhanced CVD process is the deposition at temperatures around 300 ° C allows, which does not destroy other structures (such as aluminum structures, which at 500 ° C melt). The temperature ...

6. Low Pressure CVD (LPCVD)
(Semiconductor Assembly Process/Separation)

In this application for the production of films with low thickness of silicon, nitrides, but also of polysilicon and tungsten, the plant evacuated reaction (correspondingly low pressure CVD, LPCVD). Among ...

7. Atmospheric pressure CVD (APCVD)
(Semiconductor Assembly Process/Separation)

With the CVD method under atmospheric pressure (atmospheric pressure CVD; APCVD), without evacuation of the process plant, at a temperature of about 400 ° C oxide layers possibly together with foreign ...

8. Chemical Vapor Deposition (CVD)
(Semiconductor Assembly Process/Separation)

In the CVD process (CVD stands for "chemical vapor deposition") is different than in the vapor phase deposition of a material crystal without continuation of the order of the substrate. This will polycrystalline ...

9. Wasserstoff
(Semiconductor Informations/Glossary)

Er lässt sich in großer Reinheit herstellen und dient häufig als Trägergas in der MOCVD- Technik. ...

10. VPE
(Semiconductor Informations/Glossary)

VPE ist ein älteres, bewährtes Verfahren zur Herstellung von Verbindungs-Halbleitern, angesiedelt zwischen LPE und MOCVD. Die Schichtendicke ist dabei besser zu regulieren als bei LPE. Die Methode erlaubt ...

11. Trägergas
(Semiconductor Informations/Glossary)

Bei dem derzeit bevorzugten Verfahren zur Herstellung von Verbindungs-Halbleitern - MOCVD - werden die Ausgangsmaterialien außerhalb der Anlage in Gase umgewandelt und dann mit einem Trägergas in den Reaktor ...

12. Planetenrotation
(Semiconductor Informations/Glossary)

Ein Herstellungsverfahren im Rahmen von MOCVD, bei dem sich auf einer großen Scheibe mehrere kleine Teller wie Planeten im Weltraum drehen. Die große Scheibe dreht sich dabei ebenfalls. Damit wird ein ...

13. MOCVD
(Semiconductor Informations/Glossary)

... wie bei MBE und lassen sich hervorragend dosieren. MOCVD-Anlagen ermöglichen darüber hinaus die Produktion von wesentlich größeren Flächen - und sind deshalb erste Wahl bei den Herstellern von Halbleitern. ...

14. Heizung
(Semiconductor Informations/Glossary)

Beim MOCVD-Verfahren zur Herstellung von Verbindungs-Halbleitern werden die Ausgangsstoffe - etwa Gase - in die gewünschten Komponenten zerlegt. Dazu müssen sie erhitzt werden. Das passiert im wesentlichen ...

15. Glovebox
(Semiconductor Informations/Glossary)

... von Anlagen zur Herstellung von Verbindungs-Halbleitern; es wird mit hochreinem Gas, zum Beispiel Stickstoff gefüllt, und darin befindet sich der MOCVD-Reaktor. ...

16. Gas Foil Rotation
(Semiconductor Informations/Glossary)

Die Wafer-Halter in den Reaktorkammern der MOCVD-Anlagen drehen sich berührungslos auf Gasschichten und werden über Gaskräfte angetrieben. ...